[发明专利]闪存器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210433818.7 | 申请日： | 2022-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN115411044A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 朱景润;孙文建 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11548 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种闪存器件及其制造方法，其中，所述闪存器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域；字线，在所述第一区域中沿直线延伸；浮栅和控制栅，依次堆叠在所述第一区域和第二区域的表面，且位于所述字线的两侧，其中，在所述第二区域中，所述控制栅的部分表面设置有电连接件。本发明在第一区域内设置字线，并在第二区域中控制栅的部分表面设置电连接件，增大了字线与电连接件之间的距离，降低了控制栅的接出难度，减少了所述闪存器件的短路风险。同时，所述字线和所述栅极结构均沿直线延伸，增大了后续光刻工艺的工艺窗口，有助于减小闪存器件的器件尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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