[发明专利]图像传感器的制作方法在审
| 申请号： | 202210419104.0 | 申请日： | 2022-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN114784030A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 陈辉;王明;李晓玉 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 张亚静 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种图像传感器的制作方法，对现有PD区和隔离区工艺流程和过货管控方案进行了改善，隔离区分三次离子注入工艺完成，隔离区每一次离子注入工艺所需的厚光阻的目标尺寸根据前层厚光阻显影后的尺寸值进行选择性设定，以实现厚光阻显影后尺寸可控，提高CIS FWC的稳定性，提高小像素CIS产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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