[发明专利]图像传感器的制作方法

权利要求书

1.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上设置有隔离区以及由所述隔离区限定出的光电二极管单元区，其中，所述隔离区的形成包括：

在所述半导体衬底上形成图案化的第一光阻，以所述第一光阻为掩模对所述半导体衬底进行第一次离子注入工艺，形成交错设置的多个第一条状隔离区；

在所述半导体衬底上形成图案化的第二光阻，以所述第二光阻为掩模对所述半导体衬底进行第二次离子注入工艺，形成交错设置的多个第二条状隔离区，所述第二条状隔离区和所述第一条状隔离区间隔排列；

在所述半导体衬底上形成图案化的第三光阻，以所述第三光阻为掩模对所述半导体衬底进行第三次离子注入工艺，形成交错设置的多个第三条状隔离区，所述第三条状隔离区的位置覆盖所述第一条状隔离区和所述第二条状隔离区；

其中，根据所述光电二极管单元区的关键尺寸确定所述第一光阻的目标尺寸，根据所述第一条状隔离区的尺寸确定所述第二光阻的目标尺寸，根据所述第二条状隔离区域的尺寸确定所述第三光阻的目标尺寸。

2.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，

所述光电二极管单元区的关键尺寸相对第一目标值增加，则所述第一光阻的目标尺寸不作调整；

所述光电二极管单元区的关键尺寸相对第一目标值减少，则所述第一光阻的目标尺寸相应减小。

3.根据权利要求2所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，

所述光电二极管单元区的关键尺寸相对所述第一目标值每减小2nm，所述第一光阻的目标尺寸相应减小4nm。

4.根据权利要求3所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，

所述第一条状隔离区的尺寸相对第二目标值增加，则减少所述第二光阻的目标尺寸；

所述第一条状隔离区的尺寸相对第二目标值减少，则所述第二光阻的目标尺寸不作调整。

5.根据权利要求4所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，

所述第一条状隔离区的尺寸相对所述第二目标值每增加2nm，所述第二光阻的目标尺寸相应减小1nm。

6.根据权利要求5所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，

所述第二条状隔离区的尺寸相对第三目标值增加，则减少所述第三光阻的目标尺寸；

所述第一条状隔离区的尺寸相对第三目标值减少，则所述第三光阻的目标尺寸不作调整。

7.根据权利要求6所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，

所述第二条状隔离区的尺寸相对所述第三目标值每增加2nm，所述第三光阻的目标尺寸相应减小4nm。

8.根据权利要求7所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，

所述光电二极管单元区关键尺寸的过货管控范围为+/-5nm；所述第一条状隔离区的尺寸和所述第二条状隔离区的尺寸的过货管控范围均为+/-5nm。

9.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，在形成交错设置的多个第一条状隔离区之后，形成图案化的所述第二光阻之前，还包括：去除所述第一光阻；

在形成交错设置的多个第二条状隔离区之后，形成图案化的所述第三光阻之前，还包括：去除所述第二光阻。

10.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成所述隔离区之前，还包括：在所述半导体衬底形成前层光阻，以所述前层光阻为掩模对所述半导体衬底进行前层离子注入工艺，形成光电二极管形成区；其中，所述隔离区划分所述光电二极管形成区限定出所述光电二极管单元区。

11.根据权利要求10所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述前层离子注入工艺注入的离子为N型离子，所述第一次离子注入工艺、所述第二次离子注入工艺及所述第三次离子注入工艺注入的离子均为P型离子。

12.根据权利要求11所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，

所述第一光阻的厚度和所述第二光阻的厚度相等，所述第一光阻的厚度和所述第二光阻的厚度的均大于所述第三光阻的厚度，所述前层光阻的厚度大于所述第三光阻的厚度，且小于所述第一光阻的厚度和所述第二光阻的厚度。