[发明专利]一种FinFET单管单粒子瞬态效应的测试电路在审
| 申请号： | 202210412224.8 | 申请日： | 2022-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN115032519A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 张春福;张泽阳;成亚楠;陈大正;郭云峰;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 勾慧敏 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种FinFET单管单粒子瞬态效应的测试电路，包括待测N型FinFET管M0、第一电流镜、第二电流镜、第一电阻R0和第二电阻R1，其中，待测N型FinFET管M0的栅极连接外部电源信号VG，漏极同时连接第一电流镜的输入端和第二电流镜的输入端，源极连接接地端；第一电阻R0连接在接地端与第二电流镜的输出端之间，第二电阻R2连接在接地端与第一电流镜的输出端之间；第一电流镜和第二电流镜均用于捕获待测N型FinFET管M0发生单粒子效应后产生的瞬态电流。本发明的FinFET单管单粒子瞬态效应的测试电路，当器件发生单粒子效应后，产生瞬态电流被电流镜捕获，根据电流大小，器件的漏端电压通过内部电路进行偏置，减弱了外加电源对瞬态特性的噪声影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 单管单 粒子 瞬态 效应 测试 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210412224.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
