[发明专利]绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法在审
| 申请号： | 202210411916.0 | 申请日： | 2022-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN114512537A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;张泉;尹强;肖超;田俊 | 申请（专利权）人： | 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 王晓晓 |
| 地址： | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法，属于芯片技术领域。所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法包括：在第一类材料衬底的正面形成所述IGBT的基础结构；在所述基础结构表面沉积第二类材料薄膜；在所述第二类材料薄膜表面沉积层间介质层薄膜，以形成待刻蚀结构；通过接触孔刻蚀工艺，并通过预选的对第三类材料和第二类材料具有高选择比的气体、及预选的对第二类材料和第一类材料具有高选择比的气体，对所述待刻蚀结构进行接触孔刻蚀，形成接触孔槽。本发明实施例可以提高单晶片内各区域的接触孔刻蚀深度均一性，并使得IGBT器件在抗闩锁性能上更加稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 igbt 制造 方法 | ||
【主权项】：
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