[发明专利]绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法包括：

在第一类材料衬底的正面形成所述IGBT的基础结构；

在所述基础结构表面沉积第二类材料薄膜；

在所述第二类材料薄膜表面沉积层间介质层薄膜，以形成待刻蚀结构；

通过接触孔刻蚀工艺，并通过预选的对第三类材料和第二类材料具有高选择比的气体、及预选的对第二类材料和第一类材料具有高选择比的气体，对所述待刻蚀结构进行接触孔刻蚀，形成接触孔槽。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法，其特征在于，所述第一类材料为Si，所述第一类材料衬底为Si单晶片，所述二类材料为氮化硅SIN，所述第二类材料薄膜为SIN薄膜，所述第三类材料为SiO₂。

3.根据权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法，其特征在于，所述Si单晶片为N型单晶片。

4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法，其特征在于，所述IGBT的基础结构为trench MOS结构，所述在第一类材料单晶片的正面形成所述IGBT的基础结构包括：

在所述第一类材料单晶片正面刻蚀深槽，并热生长栅氧化层；

在所述栅氧化层上沉积Poly-Si层、P型体区、N型重掺杂区；

通过IMP注入和退火，形成所述IGBT的基础结构。

5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法，其特征在于，在所述基础结构表面沉积第二类材料薄膜之前，所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法还包括：

清洗所述基础结构的表面。

6.根据权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法，其特征在于，所述第二类材料薄膜的厚度参数为200-300A。

7.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法，其特征在于，所述在所述第二类材料薄膜表面沉积层间介质层薄膜包括：

通过化学气相沉积CVD，在所述第二类材料薄膜表面，依次沉积预设厚度未掺杂硅玻璃USG和磷硅玻璃BPSG，以作为所述层间介质层薄膜，并通过高温回流工艺，对所述层间介质层薄膜表面进行平整化处理。

8.根据权利要求7所述的绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法，其特征在于，所述掺杂硅玻璃USG的厚度参数为3000A、所述磷硅玻璃BPSG的厚度参数是9000A。

9.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法，其特征在于，在所述第二类材料薄膜表面沉积层间介质层薄膜，以形成待刻蚀结构之后，所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法还包括：

通过光阻涂敷与显影工艺，将接触孔的光罩图形移动到所述层间介质层薄膜表面。

10.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法，其特征在于，所述通过接触孔刻蚀工艺，并通过预选的对第三类材料和第二类材料具有高选择比的气体、及预选的对第二类材料和第一类材料具有高选择比的气体，对所述待刻蚀结构进行接触孔刻蚀，形成接触孔槽包括：

通过所述预选的对第三类材料和第二类材料具有高选择比的气体，生成等离子体，攻击所述层间介质层薄膜表面，经过预设的第一控制时间，使该攻击停止于所述第二类材料薄膜表面；

通过所述预选的对第二类材料和第一类材料具有高选择比气体，对所述第二类材料薄膜进行刻蚀，经过预设的第二控制时间，使该刻蚀停止于所述基础结构表面；

通过预选的第一类材料刻蚀气体，对所述基础结构进行刻蚀，经过预设的第三控制时间，形成所述接触孔槽。