[发明专利]一种石墨烯掺杂锗单晶及其生长工艺在审
| 申请号： | 202210408358.2 | 申请日： | 2022-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN114686964A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 李志高 | 申请（专利权）人： | 北京通美晶体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B25/00;C30B28/06;C30B29/08;C30B29/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101149 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及单晶生长工艺的技术领域，具体公开了一种石墨烯掺杂锗单晶及其生长工艺。石墨烯掺杂锗单晶的生长工艺，包括以下步骤：采用水平梯度冷凝法合成锗多晶，并将多晶锗进行切割；对切割后的多晶锗、坩埚、石英管、石英帽进行清洗，然后进行干燥处理；将籽晶放入坩埚底部的籽晶腔中，再将多晶锗、单晶石墨烯装入坩埚中，然后将坩埚装入石英管，抽真空，然后密封石英管；把密封的石英管放入单晶炉生长锗单晶，控制轴向的温度梯度为3‑5℃/cm，径向温度梯度小于2℃。采用本申请的生长工艺生长得到的石墨烯掺杂锗单晶具有位错密度低、力学性能优良的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 掺杂 锗单晶 及其 生长 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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