[发明专利]一种用于超高密度数据存储的纳米存储器及其制备方法在审
申请号: | 202210403832.2 | 申请日: | 2022-04-18 |
公开(公告)号: | CN114913884A | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 路建美;李华 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | G11C5/02 | 分类号: | G11C5/02;C08G61/08;H01L51/05;H01L51/30 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙周强;陶海锋 |
地址: | 215137 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明的提供了一种用于超高密度数据存储的纳米存储器及其制备方法,在两亲性嵌段共聚物中合理引入给受体基团,自组装形成胶束作为存储单元,通过纳米阵列基底的诱导实现胶束的阵列化来实现纳米存储器的制备。本发明的优点是:两亲性嵌段聚合物自组装形成的胶束尺寸均匀,所得的胶束能够规则地在基底的诱导下实现阵列化排布,同时基底中的胶束具有良好的半导体特性,可作为纳米存储单元应用到存储器件的开发。与传统的存储设备相比,这种创新的方法大大缩小了存储单元的尺寸,并为未来进一步发展超高密度数据存储器开辟了新的思路。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 超高 密度 数据 存储 纳米 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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