[发明专利]一种用于超高密度数据存储的纳米存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种用于超高密度数据存储的纳米存储器，包括导电基底与基底上的纳米存储单元，其特征在于，所述纳米存储单元为两亲性嵌段聚合物胶束阵列。

2.根据权利要求1所述用于超高密度数据存储的纳米存储器，其特征在于，所述两亲性嵌段聚合物由硝基咔唑链段、萘酰亚胺链段与亲水链段组成。

3.根据权利要求2所述用于超高密度数据存储的纳米存储器，其特征在于，所述两亲性嵌段聚合物的化学结构式如下：

其中，m为10～15，n为5～10，a为7～12，b为10～20。

4.根据权利要求1所述用于超高密度数据存储的纳米存储器，其特征在于，导电基底为纳米碗状导电基底。

5.根据权利要求4所述用于超高密度数据存储的纳米存储器，其特征在于，纳米碗状导电基底由支撑基材及其表面的纳米碗状导电层组成。

6.权利要求1所述用于超高密度数据存储的纳米存储器的制备方法，其特征在于，将硝基咔唑单体、萘酰亚胺单体和亲水单体在溶剂中通过开环易位聚合反应，得到两亲性嵌段聚合物，然后在溶剂中自组装形成胶束；以模板法制备纳米碗状导电基底，然后通过纳米碗状导电基底诱导胶束实现阵列化排布，得到用于超高密度数据存储的纳米存储器。

7.根据权利要求6所述用于超高密度数据存储的纳米存储器的制备方法，其特征在于，用导电玻璃提拉聚苯乙烯小球分散液，再提拉硝酸铟溶液，然后煅烧，喷金属，得到纳米碗状导电基底；再将胶束溶液滴在纳米碗状导电基底上，干燥，得到用于超高密度数据存储的纳米存储器。

8.根据权利要求7所述用于超高密度数据存储的纳米存储器的制备方法，其特征在于，聚苯乙烯小球分散液由聚苯乙烯小球、表面活性剂、有机溶剂以及水组成；煅烧的温度为500～700℃，时间为1～3h，升温速率为1～3℃/min。

9.两亲性嵌段聚合物在制备权利要求1所述用于超高密度数据存储的纳米存储器中的应用，其特征在于，所述两亲性嵌段聚合物由硝基咔唑链段、萘酰亚胺链段与亲水链段组成。

10.权利要求1所述用于超高密度数据存储的纳米存储器在制备有机存储器件中的应用。