[发明专利]一种砷化镓单晶晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 202210403538.1 | 申请日： | 2022-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN114717659A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 高佑君 | 申请（专利权）人： | 山西中科晶电信息材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B28/06;C30B11/02 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 全万志 |
| 地址： | 043600 山西省运城*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种砷化镓单晶晶体及其制备方法。一种砷化镓单晶晶体，载流子浓度为1×1018～4×1018/cm3，迁移率为1700～2600cm2/v•s；在同等Si载流子浓度下，所述以SixAsy化合物为掺杂剂制得的砷化镓单晶晶体的B原子密度比以单质Si为掺杂剂制得的砷化镓单晶晶体的B原子密度至少低20%；所述砷化镓单晶晶体的B含量≤5×1018/cm3。本申请的砷化镓单晶晶体的制备方法是在砷化镓单晶生长前，使SixAsy化合物分布于砷化镓多晶中。此制备方法能够减轻砷化镓单晶的“B污染”，从而提高砷化镓单晶晶体的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓单晶 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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