[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板在审

专利信息
申请号: 202210402998.2 申请日: 2022-04-18
公开(公告)号: CN114843282A 公开(公告)日: 2022-08-02
发明(设计)人: 艾飞;罗成志 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 黄舒悦
地址: 430079 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 本申请公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板。所述阵列基板的制备方法包括以下步骤:提供基底;在基底上形成低温多晶硅层,低温多晶硅层具有源极接触部和漏极接触部;在含磷气体的气氛中,在低温多晶硅层上形成磷离子重掺杂的非晶硅层;对磷离子重掺杂的非晶硅层进行图案化处理,以形成第一欧姆接触部和第二欧姆接触部,第一欧姆接触部与源极接触部连接,第二欧姆接触部与漏极接触部连接;在第一欧姆接触部上形成源极,并在第二欧姆接触部上形成漏极。本申请降低了阵列基板中因磷离子重掺杂而带来的高制程温度,提高了低阻抗金属在阵列基板中的适用性,进而提升了显示产品的性能。
搜索关键词: 阵列 制备 方法 显示 面板
【主权项】:
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