[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板

说明书

本申请公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板。所述阵列基板的制备方法包括以下步骤：提供基底；在基底上形成低温多晶硅层，低温多晶硅层具有源极接触部和漏极接触部；在含磷气体的气氛中，在低温多晶硅层上形成磷离子重掺杂的非晶硅层；对磷离子重掺杂的非晶硅层进行图案化处理，以形成第一欧姆接触部和第二欧姆接触部，第一欧姆接触部与源极接触部连接，第二欧姆接触部与漏极接触部连接；在第一欧姆接触部上形成源极，并在第二欧姆接触部上形成漏极。本申请降低了阵列基板中因磷离子重掺杂而带来的高制程温度，提高了低阻抗金属在阵列基板中的适用性，进而提升了显示产品的性能。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有耗电量小、对比度高以及节省空间等优点，已成为市场上最主流的显示产品。与传统a-Si技术相比，低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)技术具有更高的载流子迁移率，被广泛用于中小尺寸高分辨率的TFT-LCD和有源矩阵有机发光二极管(Active-Matrix Organic Light-emitting Diode,AMOLED)显示面板的制作。

在传统采用LTPS技术制备阵列基板的过程中，为了保证TFT的电性，需要对TFT中的多晶硅层进行多次掺杂，掺杂方式包括用硼离子对整个沟道进行掺杂、用磷离子掺杂形成重掺杂的欧姆接触区以及用磷离子形成轻掺杂区域中的一种或多种等。其中，在用磷离子重掺杂形成重掺杂的欧姆接触区的掺杂方式中，一方面，磷离子掺杂过程会损坏多晶硅层的结构，另一方面，由于掺杂后的磷离子并未达到最稳定状态，因此，需要在接近600℃的高温制程下对重掺杂的欧姆接触区进行活化。

然而，上述高温制程会限制阵列基板中的金属线如栅线的材料的选择。比如，由于铝或铜等低阻抗金属不耐高温，其阻抗在400℃以上的高温环境下会发生显著升高，故栅线的材料只能选用耐高温的金属如钼或钛，但选用钼或钛作为栅极的材料会带来像素充电率低及负载增加等问题，会大大降低显示产品的性能。因此，如何降低阵列基板中因磷离子重掺杂而带来的高制程温度，提高低阻抗金属在阵列基板中的适用性，成为亟待解决的技术问题。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板，以降低阵列基板中因磷离子重掺杂而带来的高制程温度，提高低阻抗金属在阵列基板中的适用性，提升显示产品的性能。

本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：

提供基底；

在所述基底上形成低温多晶硅层，所述低温多晶硅层具有源极接触部和漏极接触部；

在含磷气体的气氛中，在所述低温多晶硅层上形成磷离子重掺杂的非晶硅层；

对所述磷离子重掺杂的非晶硅层进行图案化处理，以形成第一欧姆接触部和第二欧姆接触部，所述第一欧姆接触部与所述源极接触部连接，所述第二欧姆接触部与所述漏极接触部连接；以及

在所述第一欧姆接触部上形成源极，并在所述第二欧姆接触部上形成漏极。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述含磷气体为三氢化磷，所述在所述低温多晶硅层上形成磷离子重掺杂的非晶硅层的步骤，包括：向反应腔室中通入四氢化硅、氢气以及所述三氢化磷，所述四氢化硅、所述氢气以及所述三氢化磷形成磷离子重掺杂的非晶硅层。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述在所述低温多晶硅层上形成磷离子重掺杂的非晶硅层的步骤之前，还包括：在所述低温多晶硅层上形成介电绝缘层，所述介电绝缘层中开设有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔裸露出所述源极接触部，所述第二过孔裸露出所述漏极接触部；