[发明专利]存储单元及其制造方法、具有存储单元的半导体器件在审
| 申请号： | 202210396003.6 | 申请日： | 2022-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN114927613A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 林毓超;陈佑升;卡罗斯·H·迪亚兹;邱大秦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例是有关于一种存储单元、具有存储单元的半导体器件及制造存储单元的方法。一种存储单元包括底部电极、存储元件层、第一缓冲层以及顶部电极。存储元件层设置在底部电极之上。第一缓冲层插入在存储元件层与底部电极之间，其中第一缓冲层的热导率小于存储元件层的热导率。顶部电极设置在存储元件层之上，其中存储元件层设置在顶部电极与第一缓冲层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 及其 制造 方法 具有 半导体器件 | ||
【主权项】：
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