[发明专利]LDMOSFET器件的制作方法及LDMOSFET器件有效
| 申请号： | 202210388660.6 | 申请日： | 2022-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN114496802B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;王帅鹏;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 陈潇潇 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOSFET器件的制作方法及LDMOSFET器件。所述LDMOSFET器件的制作方法包括：在衬底上形成第一氧化层；在第一氧化层上粘接硅片，对粘接的硅片进行刻蚀处理，去除硅片两侧边缘的硅材料；在刻蚀后的硅片上形成体区和漂移区；在漂移区的上方形成第二氧化层，在漂移区的侧方形成第三氧化层；在第二氧化层上形成多晶硅栅极，在第三氧化层的侧方形成多晶硅侧板。本发明通过第一氧化层、第二氧化层、第三氧化层构成LDMOSFET器件的三场板结构，不仅可以降低器件的表面电场，还可以降低器件的内部电场，在确保低导通电阻的前提下，提高LDMOSFET器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | ldmosfet 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司，未经北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210388660.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
