[发明专利]LDMOSFET器件的制作方法及LDMOSFET器件

权利要求书

1.一种LDMOSFET器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上形成第一氧化层；

在第一氧化层上粘接硅片，对粘接的硅片进行刻蚀处理，去除硅片两侧边缘的硅材料；

在刻蚀后的硅片上形成体区和漂移区；

在漂移区的上方形成第二氧化层，在漂移区的侧方形成第三氧化层；

在第二氧化层上形成多晶硅栅极，在第三氧化层的侧方形成多晶硅侧板。

2.根据权利要求1所述的LDMOSFET器件的制作方法，其特征在于，所述在衬底上形成第一氧化层，包括：

采用SOI材料作为衬底，在衬底上形成N型重掺杂区，在N型重掺杂区上形成第一氧化层。

3.根据权利要求2所述的LDMOSFET器件的制作方法，其特征在于，所述在N型重掺杂区上形成第一氧化层，包括：

对N型重掺杂区进行刻蚀处理，以在N型重掺杂区内形成浅槽；

对N型重掺杂区进行热氧化处理生成氧化物，以在N型重掺杂区的浅槽内及N型重掺杂区的表面形成第一氧化层。

4.根据权利要求1所述的LDMOSFET器件的制作方法，其特征在于，所述在刻蚀后的硅片上形成体区和漂移区，包括：

在刻蚀后的硅片上进行选择性外延形成体区和漂移区。

5.根据权利要求4所述的LDMOSFET器件的制作方法，其特征在于，所述在刻蚀后的硅片上进行选择性外延形成体区和漂移区，包括：

在刻蚀后的硅片上淀积二氧化硅层，对二氧化硅层及硅片进行刻蚀处理，以在硅片上形成凹槽，对凹槽进行选择性外延形成体区，硅片中除体区以外的区域形成为漂移区。

6.根据权利要求1所述的LDMOSFET器件的制作方法，其特征在于，所述在刻蚀后的硅片上形成体区和漂移区，包括：

在刻蚀后的硅片上进行离子注入形成体区，硅片中除体区以外的区域形成为漂移区。

7.根据权利要求1所述的LDMOSFET器件的制作方法，其特征在于，所述在漂移区的上方形成第二氧化层，在漂移区的侧方形成第三氧化层，包括：

在体区的上方、漂移区的上方及漂移区的侧方淀积氧化物；

对氧化物进行刻蚀处理，以在漂移区的上方形成第二氧化层，在漂移区的侧方形成第三氧化层。

8.根据权利要求1所述的LDMOSFET器件的制作方法，其特征在于，所述在第二氧化层上形成多晶硅栅极，在第三氧化层的侧方形成多晶硅侧板，包括：

在体区和漂移区的上方、第二氧化层的上方以及第三氧化层的侧方淀积多晶硅，对多晶硅进行重掺杂离子注入；

对离子注入后的多晶硅进行刻蚀处理，保留第二氧化层上方的多晶硅和第三氧化层侧方的多晶硅，将第二氧化层上方的多晶硅作为多晶硅栅极，第三氧化层侧方的多晶硅作为多晶硅侧板。

9.一种LDMOSFET器件，包括衬底、体区、漂移区及多晶硅栅极，其特征在于，还包括：第一氧化层、第二氧化层及第三氧化层；

所述第一氧化层形成于衬底上，作为器件底部的场板；

所述第二氧化层形成于漂移区的上方，作为器件表面的场板；

所述第三氧化层形成于漂移区的侧方，作为器件侧面的场板。

10.根据权利要求9所述的LDMOSFET器件，其特征在于，所述衬底包括顶层硅、背衬底以及顶层硅与背衬底之间的埋氧化层。

11.根据权利要求10所述的LDMOSFET器件，其特征在于，所述第一氧化层通过以下方式形成：

对衬底的顶层硅进行离子掺杂形成N型重掺杂区；

对N型重掺杂区进行刻蚀处理，以在N型重掺杂区内形成浅槽；

对N型重掺杂区进行热氧化处理生成氧化物，以在N型重掺杂区的浅槽内及N型重掺杂区的表面形成第一氧化层。