[发明专利]LDMOSFET器件的制作方法及LDMOSFET器件

说明书

本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOSFET器件的制作方法及LDMOSFET器件。所述LDMOSFET器件的制作方法包括：在衬底上形成第一氧化层；在第一氧化层上粘接硅片，对粘接的硅片进行刻蚀处理，去除硅片两侧边缘的硅材料；在刻蚀后的硅片上形成体区和漂移区；在漂移区的上方形成第二氧化层，在漂移区的侧方形成第三氧化层；在第二氧化层上形成多晶硅栅极，在第三氧化层的侧方形成多晶硅侧板。本发明通过第一氧化层、第二氧化层、第三氧化层构成LDMOSFET器件的三场板结构，不仅可以降低器件的表面电场，还可以降低器件的内部电场，在确保低导通电阻的前提下，提高LDMOSFET器件的击穿电压。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地涉及一种LDMOSFET器件的制作方法以及一种LDMOSFET器件。

背景技术

双扩散金属氧化物半导体场效应管（Double-diffused MOS，简称DMOS）具有耐压高、功耗低、大电流驱动能力等特点，广泛采用于电源管理电路中。双扩散金属氧化物半导体场效应管主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管（Vertical Double-diffused MOSFET，简称VDMOSFET）和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（LateralDouble-diffused MOSFET，简称LDMOSFET）。

对于LDMOSFET器件，导通电阻（Specific on-Resistance，Rsp）和击穿电压（Breakdown Voltage，BV）是两个重要的指标。实际应用中需要高击穿电压和低导通电阻的LDMOSFET器件。通常，LDMOSFET器件通过场板结构来提高击穿电压。场板设计在器件表面附近区域，可以降低器件的表面电场，从而提高击穿电压，但是对于器件漏端和器件底部的电场的作用较小，不能降低器件的内部、底部和漏端附近区域的电场。

发明内容

本发明的目的是提供一种LDMOSFET器件的制作方法及LDMOSFET器件，以降低器件的内部、底部和漏端附近区域的电场，提高LDMOSFET器件的击穿电压。

为了实现上述目的，本发明一方面提供一种LDMOSFET器件的制作方法，所述方法包括：

在衬底上形成第一氧化层；

在第一氧化层上粘接硅片，对粘接的硅片进行刻蚀处理，去除硅片两侧边缘的硅材料；

在刻蚀后的硅片上形成体区和漂移区；

在漂移区的上方形成第二氧化层，在漂移区的侧方形成第三氧化层；

在第二氧化层上形成多晶硅栅极，在第三氧化层的侧方形成多晶硅侧板。

进一步地，所述在衬底上形成第一氧化层，包括：

采用SOI材料作为衬底，在衬底上形成N型重掺杂区，在N型重掺杂区上形成第一氧化层。

进一步地，所述在N型重掺杂区上形成第一氧化层，包括：

对N型重掺杂区进行刻蚀处理，以在N型重掺杂区内形成浅槽；

对N型重掺杂区进行热氧化处理生成氧化物，以在N型重掺杂区的浅槽内及N型重掺杂区的表面形成第一氧化层。

进一步地，所述在刻蚀后的硅片上形成体区和漂移区，包括：

在刻蚀后的硅片上进行选择性外延形成体区和漂移区。

进一步地，所述在刻蚀后的硅片上进行选择性外延形成体区和漂移区，包括：在刻蚀后的硅片上淀积二氧化硅层，对二氧化硅层及硅片进行刻蚀处理，以在硅片上形成凹槽，对凹槽进行选择性外延形成体区，硅片中除体区以外的区域形成为漂移区。

进一步地，所述在刻蚀后的硅片上形成体区和漂移区，包括：

在刻蚀后的硅片上进行离子注入形成体区，硅片中除体区以外的区域形成为漂移区。