[发明专利]一种制备二维磁性材料铬基硫族化物及其异质结的方法在审
| 申请号： | 202210380925.8 | 申请日： | 2022-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN114752917A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 卫斌;王文娥;程达伟;陈祖信;卢侠 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/44 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明提供一种制备二维磁性材料铬基硫族化物及其异质结的方法，该方法通过常压化学气相沉积法(APCVD)可控合成具有大尺寸薄层居里温度高并稳定存在的二维磁性材料(如碲化铬CrTe)，并使用两步CVD法制备二维磁性材料异质结(如CrTe‑WSe |
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| 搜索关键词： | 一种 制备 二维 磁性材料 铬基硫族化物 及其 异质结 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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