[发明专利]半导体存储器、刷新方法和电子设备在审
| 申请号： | 202210370026.X | 申请日： | 2022-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN116935916A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 卢欢 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/402 | 分类号： | G11C11/402;G11C11/406;G11C11/409 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张竞存;张颖玲 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开实施例提供了一种半导体存储器、刷新方法和电子设备，该半导体存储器包括主存储区域和标记存储区域，主存储区域中设置多个存储行，标记存储区域中设置多个第一标志位；其中，每一存储行与一个第一标志位具有对应关系，且第一标志位用于指示存储行是否为行锤击事件的锤击行。这样，由于半导体存储器中新增了标记存储区域，通过第一标志位可以标记行锤击事件的锤击行，明确行锤击的攻击对象，能够提高行锤击事件的处置效果且节省功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 刷新 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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