[发明专利]一种半导体发光元件在审
| 申请号： | 202210367175.0 | 申请日： | 2022-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN114824019A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 阚钦 | 申请（专利权）人： | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/40;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙) 11955 | 代理人： | 戴丽伟 |
| 地址： | 237161 安徽省六安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别是涉及一种半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、第一导电型半导体、多量子阱、第二导电型半导体和透明导电层，第二导电型半导体和透明导电层组成接触层结构，透明导电层的C、O浓度沿(001)方向从高C、O浓度3E18cm |
||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽格恩半导体有限公司，未经安徽格恩半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210367175.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
