[发明专利]半导体光刻补偿方法在审
| 申请号： | 202210346507.7 | 申请日： | 2022-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN114675505A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 陈恩浩;胡志勇;孙金萍 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 卢浩;黄健 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体光刻补偿方法，包括：通过机台组合对晶圆进行光刻，机台组合至少包括第一机台和第二机台；通过第一机台进行光刻得到第一曝光结构；获取第一曝光结构的套刻误差的第一测量值；根据第一测量值对第二机台的初始下货值进行补偿。在进行半导体结构的制作过程中，可以通过测量第一机台加工形成的第一曝光结构的套刻误差，将第一测量值对第二机台的初始下货值进行补偿，以便得到第二机台的最优下货值，后续第二机台进行光刻时，第二机台根据其最优下货值进行光刻加工，有利于保证后续第二机台加工形成的曝光结构的套刻误差准确性，从而减少重工次数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光刻 补偿 方法 | ||
【主权项】：
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