[发明专利]半导体光刻补偿方法

权利要求书

1.一种半导体光刻补偿方法，其特征在于，包括：

提供晶圆，通过机台组合对所述晶圆进行光刻，所述机台组合至少包括第一机台和第二机台，

通过所述第一机台进行光刻得到第一曝光结构；

获取所述第一曝光结构的套刻误差的第一测量值；

根据所述第一测量值对所述第二机台的初始下货值进行补偿。

2.根据权利要求1所述的半导体光刻补偿方法，其特征在于，根据所述第一测量值对所述第二机台的下货值进行补偿，包括：

根据所述第一测量值和所述第一机台的初始下货值之间的差值获取第一补偿值；

根据所述第一补偿值和所述第二机台的初始下货值得到所述第二机台的第一下货值。

3.根据权利要求2所述的半导体光刻补偿方法，其特征在于，

所述第二机台根据所述第一下货值得到第二曝光结构，获取所述第二曝光结构的套刻误差的第二测量值，若所述第二测量值超过所述第二曝光结构的规格范围，根据所述第一测量值和所述第二测量值获取第二补偿值；

根据所述第二补偿值对所述机台组合中其余机台的下货值进行补偿。

4.根据权利要求3所述的半导体光刻补偿方法，其特征在于，所述第二补偿值为所述第一测量值和所述第二测量值的平均值。

5.根据权利要求1所述的半导体光刻补偿方法，其特征在于，通过所述第一机台进行光刻得到第一曝光结构之前，包括：

将所述第一机台设定的套刻标记与前层曝光结构的套刻标记对准。

6.根据权利要求1所述的半导体光刻补偿方法，其特征在于，还包括：

任一机台制程参数发生改变时，将预设时间内运行的所有机台的下货值重置，在得到所述第一曝光结构后发送强制量测命令，所述强制量测命令用于获取所述第一曝光结构的套刻误差的第一测量值。

7.根据权利要求3所述的半导体光刻补偿方法，其特征在于，还包括：在预设时间内，若除所述第一机台外的其余机台的所述第二测量值均未超过相应的规格范围，则不改变机台的下货值；

若其余机台中任一机台的所述第二测量值超过规格范围，根据所述第一测量值和所述第二测量值的平均值获取第二补偿值；

根据所述第二补偿值调整所述其余机台中未进行量测运行的机台的下货值。

8.根据权利要求1所述的半导体光刻补偿方法，其特征在于，还包括：超过预设时间后，所有未下货的机台恢复测量标记，重新进行套刻误差的量测，并根据新的量测值对下货值进行补偿。

9.一种半导体光刻补偿方法，其特征在于，包括：

提供基底，对所述基底进行光刻处理，所述光刻处理包括第一制程和第二制程；

获取所述第一制程的套刻误差的第一测量值，根据所述第一测量值对所述第二制程进行光刻补偿。

10.根据权利要求9所述的半导体光刻补偿方法，其特征在于，在测量运行状态，强制量测所述第一制程的套刻误差，以获取所述第一测量值，根据所述套刻误差获取第一补偿值，并将所述第一补偿值反馈给所述第二制程。

11.根据权利要求10所述的半导体光刻补偿方法，其特征在于，对所述第二制程进行光刻补偿，包括：

根据所述第一制程的初始下货值和所述第一测量值之差获取所述第一补偿值；

根据所述第一补偿值对所述第二制程的初始下货值进行补偿。

12.根据权利要求9所述的半导体光刻补偿方法，其特征在于，在非测量运行状态，对线上光刻制程进行采样量测，分别获取所述线上光刻制程中所述第一制程的套刻误差的第二测量值，以及所述第二制程的套刻误差的第三测量值，并在测量运行状态时，将所述第二测量值和第三测量值反馈给所述第二制程。