[发明专利]一种单晶生长方法及晶圆在审
| 申请号： | 202210343801.2 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114808112A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 魏星;李名浩;李寅锋 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B15/20;C30B29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京磐华捷成知识产权代理有限公司 11851 | 代理人： | 翟海青 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国（*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种单晶生长方法及晶圆，所述单晶生长方法包括：提供熔体和经过掺杂的籽晶；获取所述经过掺杂的籽晶的初始长度l |
||
| 搜索关键词： | 一种 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210343801.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种加氢方法和加氢站
- 下一篇：一种促进胡椒插条苗生根繁育的方法
