[发明专利]一种单晶生长方法及晶圆

权利要求书

1.一种单晶生长方法，其特征在于，包括：

提供熔体和经过掺杂的籽晶；

获取所述经过掺杂的籽晶的初始长度l₀；

将所述经过掺杂的籽晶浸入所述熔体中，获取所述经过掺杂的籽晶露出所述熔体表面的长度l₁，其中l₀＞l₁；

利用所述熔体和所述经过掺杂的籽晶采用直拉法生长单晶。

2.根据权利要求所述的1方法，其特征在于，所述经过掺杂的籽晶包括IIIA族元素或V族元素。

3.根据权利要求所述的2方法，其特征在于，所述经过掺杂的籽晶包括硼或磷。

4.根据权利要求所述的2方法，其特征在于，所述经过掺杂的籽晶的类型为P型或N型。

5.根据权利要求所述的1方法，其特征在于，所述单晶的类型与所述经过掺杂的籽晶的类型相同。

6.根据权利要求1-5之一所述的方法，其特征在于，为获得掺杂剂浓度为c_s的所述单晶，所述经过掺杂的籽晶需要浸入所述熔体表面的长度l_seed可以通过以下等式计算：

其中，c_seed表示所述经过掺杂的籽晶的掺杂剂浓度，A_seed表示所述籽晶的横截面积，c_poly表示多晶原料的电活性杂质的浓度，V_poly表示多晶原料的体积，V_melt表示熔体的体积，K表示关于掺杂剂的分凝系数。

7.根据权利要求所述的1方法，其特征在于，所述经过掺杂的籽晶浸入所述熔体的长度Δl＝l₀-l₁。

8.根据权利要求7所述的方法，控制所述经过掺杂的籽晶浸入所述熔体的长度Δl，使得Δl＝l_seed，其中l_seed表示所述经过掺杂的籽晶需要浸入所述熔体表面的长度。

9.根据权利要求1所述的方法，所述籽晶的电阻率为0.1-1000Ω-cm。

10.一种晶圆，其特征在于，包括对采用权利要求1-9之一所述的单晶生长方法得到的单晶依次进行切割、表面磨削、抛光、边缘处理及清洗处理获得。