[发明专利]应用于化学浸镀工艺中的贴膜方法在审
| 申请号： | 202210336651.2 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114843170A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 陈旋;惠科石;缪鏖泽;席亚荣 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/60;C23C18/18 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种应用于化学浸镀工艺中的贴膜方法，包括：提供一晶圆，该晶圆是采用太鼓减薄工艺进行减薄后的晶圆，该晶圆的背面包括边缘区域和中心区域，边缘区域位于中心区域的外周侧，边缘区域从侧视角度观察高于中心区域；在中心区域贴附第一保护膜；在背面贴附第二保护膜；对晶圆进行化学浸镀工艺。本申请通过对采用太鼓减薄工艺进行减薄后的晶圆进行化学浸镀工艺之前，在对晶圆的背面进行贴膜保护的过程中，在中心区域贴附第一保护膜，降低了晶圆背面的断差，从而在晶圆背面第一保护膜上贴附第二保护膜后，减小了边缘区域的空隙，进而在一定程度上改善了化学浸镀工艺中的渗液现象，提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 化学 工艺 中的 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
