[发明专利]3D半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202210336445.1 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN114497039B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 杨家诚;葛峰;徐畅;李岗 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种3D半导体器件及其形成方法，应用于半导体技术领域。具体的，在形成方法中，其首先提出了相邻两个MOS器件共用栅极的双栅极结构器件区，且MOS器件的栅极和漏极/源极是垂直连接的（基于鳍结构形成的双栅极结构器件区），从而可以通过在垂直方向上增加MOS器件栅极宽度的方式，增加MOS器件的沟道长度，从而可以在降低MOS器件的短沟道效应的情况下，节省晶片面积。并且，由于本发明提供的3D半导体器件是一种通过以阵列的方式排布多个双栅极结构器件区的3D器件，且每个双栅极结构器件区均为垂直式器件，因此可以有效的增加晶片密集度，进而可以避免器件微缩后所造成的漏电问题，以及实现器件尺寸的微缩和先进制程开发等方面的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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