[发明专利]一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片在审
| 申请号： | 202210336305.4 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN114420814A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 孙建建;牛群磊;纪东;曹敏;姜湃;孙彬耀;陈铭胜 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 刘红伟 |
| 地址： | 330224 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片，LED外延片包括n型电流扩展层和p型电流扩展层，n型电流扩展层是由第一子层和第二子层交替生长而成的周期性结构，p型电流扩展层由第三子层和第四子层交替生长而成的周期性结构，其中，n型电流扩展层为掺杂Si的磷化铝镓铟层，p型电流扩展层为掺杂Mg的磷化镓层，第一子层中掺杂Si的浓度高于第二子层中掺杂Si的浓度，第三子层中掺杂Mg的浓度低于第四子层中掺杂Mg的浓度。本发明旨在解决现有技术中，电流扩展层恒定掺杂，导致芯片抗静电能力差的问题，而在电流扩展层中采用高低掺杂浓度的方式，便于更精确的控制掺杂浓度，可有效提高芯片的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 生长 方法 芯片 | ||
【主权项】：
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