[发明专利]一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片

权利要求书

1.一种LED外延片，其特征在于，包括电流扩展层，所述电流扩展层包括n型电流扩展层和p型电流扩展层，所述n型电流扩展层是由第一子层和第二子层交替生长而成的周期性结构，所述p型电流扩展层由第三子层和第四子层交替生长而成的周期性结构；

其中，所述n型电流扩展层为掺杂Si的磷化铝镓铟层，所述p型电流扩展层为掺杂Mg的磷化镓层，所述第一子层中掺杂所述Si的浓度高于所述第二子层中掺杂所述Si的浓度，所述第三子层中掺杂所述Mg的浓度低于所述第四子层中掺杂所述Mg的浓度。

2.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述LED外延片还包括衬底、腐蚀截止层、第一欧姆接触层、n型限制层、多量子阱层、p型限制层、过渡层以及第二欧姆接触层；

所述腐蚀截止层、所述第一欧姆接触层、所述n型电流扩展层、所述n型限制层、所述多量子阱层、所述p型限制层、所述过渡层、所述p型电流扩展层以及所述第二欧姆接触层依次外延生长在所述衬底上。

3.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述n型电流扩展层的厚度为3μm~6μm，所述p型电流扩展层的厚度为4μm~8μm。

4.根据权利要求2所述的LED外延片，其特征在于，所述腐蚀截止层的厚度为0.2μm~1μm，所述第一欧姆接触层的厚度为0.2μm~1μm，所述n型限制层的厚度为0.3μm~1.5μm，所述多量子阱层的厚度为50nm~80nm，所述p型限制层的厚度为1μm~2μm，所述过渡层的厚度为45nm~60nm，所述第二欧姆接触层的厚度为90nm~150nm。

5.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述第一子层的厚度与所述第二子层的厚度的比值范围为4:1~7:1，所述第四子层的厚度与所述第三子层的厚度的比值范围为5:1~7:1。

6.一种LED外延片的外延生长方法，其特征在于，用于制备权利要求1-5任一项所述的LED外延片，所述外延生长方法包括：

生长n型电流扩展层时，控制第一子层和第二子层交替生长，其中，在生长第一子层时，控制Si组分的通入量为第一通入量，当生长第二子层时，控制Si组分的通入量由所述第一通入量减少至第二通入量；

生长p型电流扩展层时，控制第三子层和第四子层交替生长，其中，在生长第三子层时，控制Mg组分的通入量为第三通入量，当生长第四子层时，控制Mg组分的通入量由所述第三通入量增加至第四通入量。

7.根据权利要求6所述的LED外延片的外延生长方法，其特征在于，所述外延生长方法还包括：

提供一生长所需的衬底；

在所述衬底上依次外延生长腐蚀截止层、第一欧姆接触层、所述n型电流扩展层、n型限制层、多量子阱层、p型限制层、过渡层、所述p型电流扩展层以及第二欧姆接触层。

8.根据权利要求6所述的LED外延片的外延生长方法，其特征在于，所述第一子层中掺杂Si的浓度为5E18atoms/cm³~2E19atoms/cm³，所述第二子层中掺杂Si的浓度为9E17atoms/cm³~5E18atoms/cm³，所述第三子层中掺杂Mg的浓度为9E17atoms/cm³~6E18atoms/cm³，所述第四子层中掺杂Mg的浓度为6E18atoms/cm³~6E19atoms/cm³。

9.根据权利要求6所述的LED外延片的外延生长方法，其特征在于，所述n型电流扩展层和所述p型电流扩展层的生长压力为50mbar，所述n型电流扩展层的生长温度为720℃~760℃，所述p型电流扩展层的生长温度为770℃~810℃。

10.一种LED芯片，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的LED外延片。