[发明专利]四面体结构化合物掺杂的Sb-Te相变材料、相变存储器

摘要

本发明提供了一种四面体结构化合物掺杂的Sb‑Te相变材料和相变存储器，属于微纳米电子技术领域，Sb‑Te相变材料化学式为MAx(Sb‑Te)1‑x，MA为四面体结构化合物，x代表四面体结构化合物分子数占总分子数的百分比，0x10％，四面体结构化合物选自SiC、SiN、GeC中的一种或者多种。本发明还提供了包括如上所述的Sb‑Te相变材料的相变存储器。本发明的四面体结构化合物掺杂的Sb‑Te相变材料具有较好的非晶稳定性和数据保持能力，不与Sb‑Te体系相变材料中的元素成键，能保证Sb‑Te体系相变材料晶格结构完整，还能减小晶粒尺寸，阻止相变元素的原子迁移，最终全方位地实现改善器件的综合性能。