[发明专利]四面体结构化合物掺杂的Sb-Te相变材料、相变存储器

权利要求书

1.一种四面体结构化合物掺杂的Sb-Te相变材料，其特征在于，其化学式为MA_x(Sb-Te)_1-x，其中，MA为四面体结构化合物，x代表四面体结构化合物分子数占总分子数的百分比，0x10％，四面体结构化合物选自SiC、SiN、GeC中的一种或者多种。

2.如权利要求1所述的一种四面体结构化合物掺杂的Sb-Te相变材料，其特征在于，四面体结构化合物MA在Sb-Te体系相变层，结构稳定，其与Sb-Te体系八面体晶体结构相异，从而能阻碍Sb-Te体系相变材料的自发结晶，从而提高其非晶稳定性及数据保持能力。

3.如权利要求1所述的一种四面体结构化合物掺杂的Sb-Te相变材料，其特征在于，四面体结构化合物MA元素与Sb-Te体系相变材料中的元素相互独立而无键合，无替位或者间隙掺杂现象，从而能保证Sb-Te体系相变材料晶格结构完整，以保持快速结晶的性能。

4.如权利要求3所述的一种四面体结构化合物掺杂的Sb-Te相变材料，其特征在于，其中只存在以下几种化学键，包括M-A键、M-M键、A-A键和Sb-Te键。

5.如权利要求3所述的一种四面体结构化合物掺杂的Sb-Te相变材料，其特征在于，四面体结构化合物MA以非晶形式均匀分布于晶态相变材料的晶界处，以用于减小晶粒尺寸，能阻碍相变元素的原子迁移，最终能提高器件的可靠性。

6.如权利要求3所述的一种四面体结构化合物掺杂的Sb-Te相变材料，其特征在于，采用磁控溅射法、化学气相沉积法、原子层沉积法、电镀法或电子束蒸发法制备获得。

7.如权利要求1-6之一所述的一种四面体结构化合物掺杂的Sb-Te相变材料，其特征在于，所述Sb-Te体系相变材料包括SbTe、Sb₂Te₁、Sb₂Te₃和Sb₄Te₁。

8.如权利要求7所述的一种四面体结构化合物掺杂的Sb-Te相变材料，其特征在于，采用Sb-Te体系靶和MA靶共溅射获得。

9.一种Sb-Te体系相变材料的相变存储器，其特征在于，其包括依次层叠的底电极、隔离层、相变存储材料薄膜层和顶电极，所述相变存储材料薄膜层采用如权利要求1-8之一所述的四面体结构化合物掺杂的Sb-Te相变材料。