[发明专利]超薄芯片及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202210322576.4 | 申请日： | 2022-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116936338A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 汪照贤;王添博;陈颖 | 申请（专利权）人： | 浙江清华柔性电子技术研究院;钱塘科技创新中心 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人： | 李丽华 |
| 地址： | 314051 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种超薄芯片及其制备方法和应用；该制备方法包括以下步骤：提供芯片，所述芯片包括层叠设置的硅衬底以及功能层；以及在所述硅衬底远离所述功能层的表面沉积金属薄膜，得到超薄芯片，其中，所述金属薄膜与所述硅衬底之间的应力为α，所述功能层与所述硅衬底之间的应力β，α的取值范围为10MPa‑1000MPa，β的取值范围为负1000MPa‑负10MPa，且|α|与|β|的差的绝对值小于或等于1MPa；该制备方法能够降低超薄芯片的翘曲曲率，提高超薄芯片的封装良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 超薄 芯片 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
