[发明专利]一种高导热低流体阻力金刚石微通道热沉片的制备方法在审
| 申请号： | 202210322214.5 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN114758996A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 于盛旺;周兵;王永胜;黑鸿君;高洁;吴艳霞;马永;郑可 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/473;C30B28/14;C30B29/04;C30B33/10;C30B33/12;C23C14/02;C23C14/06 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 申艳玲 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高导热低流体阻力金刚石微通道热沉片的制备方法，首先在清洗干净的抛光单晶硅片衬底表面沉积一层介质层薄膜，使用带有微通道栅孔的掩膜板通过刻蚀在介质层薄膜表面形成具有微通道边框的沟槽结构；在有沟槽结构的介质层薄膜表面多次外延生长金刚石多晶薄膜，填满沟槽并覆盖介质膜，将金刚石多晶薄膜生长面减薄抛光加工平整；采用酸洗或刻蚀去除单晶硅片衬底和介质层薄膜，采用等离子体活性刻蚀处理金刚石多晶膜的形核层，得到具有微通道结构的金刚石晶片；最后在金刚石微通道表面沉积一层超疏水非晶碳膜，从而得到具有高导热低流体阻力的金刚石微通道热沉片。本发明综合利用金刚石高导热率和超疏水非晶碳基薄膜的优势，对于改善高功率半导体激光器和大规模集成电路的散热性能具有显著意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导热 流体 阻力 金刚石 通道 热沉片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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