[发明专利]有源晶圆键合架构的CMUT-on-CMOS的超声换能器及制造方法有效
| 申请号： | 202210308406.0 | 申请日： | 2022-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN114408857B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 尹峰;李晖 | 申请（专利权）人： | 南京声息芯影科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 南京华讯知识产权代理事务所(普通合伙) 32413 | 代理人： | 仝东凤 |
| 地址： | 210012 江苏省南京市雨花*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种有源晶圆键合架构的CMUT‑on‑CMOS的超声换能器，它以有预制CMOS器件的有源晶圆键合为基础，将CMUT器件与CMOS器件通过晶圆键合，减薄，三维金属垂直互连等流程，实现高密度超声换能器与多层CMOS电路的单片系统集成。本发明同时公开这种有源晶圆键合架构的CMUT‑on‑CMOS的超声换能器的制造方法。其中，所采用的有源晶圆键合及减薄技术，以及晶圆之间的垂直互连，能够在8寸与12寸晶圆制程实现。本发明公开的工艺流程，不需要使用昂贵的SOI材料就能实现单晶硅振动机械层，工艺经济，集成度高，容易大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 晶圆键合 架构 cmut on cmos 超声 换能器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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