[发明专利]结型场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210302891.0 | 申请日： | 2022-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN114709268A | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 张炜虎;王珊珊;仇峰 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L21/337;H01L29/10 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 别亚琴 |
| 地址： | 200135 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种结型场效应晶体管及其制备方法，一种结型场效应晶体管，包括：第一导电类型的基底；至少两层阱区结构，层叠设置于基底；每一层阱区结构包括第二导电类型的第一阱区，以及位于第一阱区的相对两侧的两个第二阱区；其中，第二阱区的导电类型与第二导电类型相反，且与第一导电类型相同；漏极和源极，分别形成于最上一层阱区结构的第一阱区的相对两侧；以及栅极，形成于最上一层阱区结构的两个第二阱区；其中，相邻的两层阱区结构中，相邻的两个第一阱区彼此接触，同一侧的两个第二阱区彼此相连。在获得同样的导电能力的情况下，使用本申请的结型场效应晶体管的结构设计更能节约设计尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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