[发明专利]结型场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种结型场效应晶体管，其特征在于，包括：

第一导电类型的基底(110)；

至少两层阱区结构(120)，层叠设置于所述基底(110)；每一层所述阱区结构(120)包括第二导电类型的第一阱区(121)，以及位于所述第一阱区(121)的相对两侧的两个第二阱区(122)；其中，所述第二阱区(122)的导电类型与所述第二导电类型相反，且与所述第一导电类型相同；

漏极(130)和源极(140)，分别形成于最上一层所述阱区结构(120)的所述第一阱区(121)的相对两侧；以及

栅极(150)，形成于最上一层所述阱区结构(120)的两个所述第二阱区(122)；

其中，相邻的两层所述阱区结构(120)中，相邻的两个所述第一阱区(121)彼此接触，同一侧的两个所述第二阱区(122)彼此相连。

2.根据权利要求1所述的结型场效应晶体管，其特征在于，所述第一阱区(121)包括沟道区(1211)和位于所述沟道区(1211)的相对两侧的两个漂移区(1212)，所述沟道区(1211)上形成有位于所述漏极(130)和所述源极(140)之间的沟槽(1213)；

所述至少两层所述阱区结构(120)包括位于最上层的A阱区结构(120a)和沿所述阱区结构(120)的层叠方向位于所述A阱区结构(120a)下方的至少一层B阱区结构(120b)；

所述漏极(130)和所述源极(140)分别形成于所述A阱区结构(120a)中所述第一阱区(121)的两个所述漂移区(1212)。

3.根据权利要求2所述的结型场效应晶体管，其特征在于，所述A阱区结构(120a)中，所述第一阱区(121)上的所述沟槽(1213)内设有浅槽隔离结构(170)，以将所述漏极(130)和所述源极(140)彼此隔离。

4.根据权利要求3所述的结型场效应晶体管，其特征在于，所述浅槽隔离结构(170)的纵长两端分别朝彼此背离的一侧延伸，并分别与所述A阱区结构(120a)中两个所述第二阱区(122)接触，以将该两个所述第二阱区(122)彼此隔离。

5.根据权利要求3所述的结型场效应晶体管，其特征在于，所述栅极(150)包括：

多晶硅层(151)，设置于所述浅槽隔离结构(170)；

栅电极层(152)，设置于所述多晶硅层(151)远离所述浅槽隔离结构(170)的一侧；

栅极连接层(153)，分别形成于所述A阱区结构(120a)的两个所述第二阱区(122)，且所述栅极连接层(153)与所述栅电极层(152)接触。

6.根据权利要求2所述的结型场效应晶体管，其特征在于，还包括第一导电类型的中间衬底层(160)；

所述中间衬底层(160)形成于所述B阱区结构(120b)中所述第一阱区(121)上的所述沟槽(1213)内，且所述中间衬底层(160)的相对两端延伸至所述沟槽(1213)外，以插设于相邻的两层所述阱区结构(120)中同一侧的两个所述第二阱区(122)之间。

7.根据权利要求6所述的结型场效应晶体管，其特征在于，所述中间衬底层(160)内以第一剂量掺杂第一类型离子，所述B阱区结构(120b)中所述第一阱区(121)内以第二剂量掺杂第二类型离子；

其中，所述第一剂量大于所述第二剂量。

8.根据权利要求7所述的结型场效应晶体管，其特征在于，相邻的两个所述阱区结构(120)中，其中一所述阱区结构(120)的所述第二阱区(122)以第三剂量掺杂第一类型离子，另一所述阱区结构(120)的所述第二阱区(122)以第四剂量掺杂第一类型离子；

其中，所述第三剂量和所述第四剂量均分别按照所述第一剂量进行设定，以使相邻的两个所述阱区结构(120)中同一侧的两个所述第二阱区(122)借助于所述中间衬底层(160)相连。