[发明专利]一种具有高光效、低色漂移的白光发光二极管的设计方法在审
| 申请号： | 202210301523.4 | 申请日： | 2022-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN114759127A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 张韵;曹威;聂胜;帅凌霄;项文辞 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有高光效、低色漂移的白光发光二极管的设计方法，包括：在衬底上采用MOCVD外延生长技术生长外延结构，所述外延结构沿着生长方向依次为本征GaN缓冲层、n型GaN层、有源区、p型GaN层。本发明通过外延生长半极性GaN基发光二极管，使发光波长稳定；二基色混合，改变可调控中间层的生长厚度、掺杂元素类型及掺杂浓度，进而调控发光光谱功率配比，达到白光发光，单芯片白光发光二极管能避免荧光粉带来的弊端，又可以实现高光效发光，具有优异的光视效能。不仅结构简单，且具有更高的自由度，应用前景广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 高光效 漂移 白光 发光二极管 设计 方法 | ||
【主权项】：
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