[发明专利]一种改进绝缘层的氧化物半导体的薄膜晶体管在审
| 申请号： | 202210298477.7 | 申请日： | 2022-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN114664950A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 陈玉云;沈奕;吕岳敏;张汉焱;陈远明 | 申请（专利权）人： | 汕头超声显示器技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;C30B33/04;C30B29/20;C30B29/18;C30B29/16;C30B28/12 |
| 代理公司： | 汕头市潮睿专利事务有限公司 44230 | 代理人： | 陈烨彬;卢梓雄 |
| 地址： | 515000 广东省汕头市龙湖区龙江*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种改进绝缘层的氧化物半导体的薄膜晶体管，包括设置在基板上的栅极和绝缘层，以及有源层、源极和漏极；绝缘层包括叠合而成的第一薄膜和第二薄膜；第一薄膜为由多个第一晶柱构成的多晶结构,第二薄膜为由多个第二晶柱构成的多晶结构，各个第二晶柱与各个第一晶柱错开设置；绝缘层通过如下步骤制造而成：步骤（1）通过第一次PVC工艺在基板上生长第一薄膜；步骤（2）对第一薄膜的表面进行改性，破坏各个第一晶柱的末端，形成表面层；步骤（3）通过第二次PVC工艺在表面层上生长第二薄膜。本发明可以完全采用PVC工艺来制作，不仅能够有效增加绝缘层的致密性，而且可大大减少工艺复杂度和对设备的投资，有利于提高制造效率和安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 绝缘 氧化物 半导体 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
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