[发明专利]制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202210288069.3 | 申请日： | 2022-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN114864484A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 萧琮介;沈香谷;萧远洋;赖英耀;陈殿豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在制造半导体装置的方法中，在第一介电层中形成开口，使得下部导电层的一部分在开口的底部暴露，一或多个衬垫导电层形成在下部导电层的部分、开口的内侧壁及第一介电层的上表面的上方，主要导电层形成于一或多个衬垫导电层上方，图案化的导电层借由图案化主要导电层和一或多个衬垫导电层而形成，且覆盖导电层形成于图案化导电层上方。被图案化的主要导电层被覆盖导电层和一或多个衬垫导电层的一者围绕。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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