[发明专利]倍缩光罩载体及其操作的方法在审
| 申请号： | 202210282260.7 | 申请日： | 2022-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN115524920A | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 陈彦勳;陈亦镇;叶展宏;张汉龙;傅中其;陈立锐 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/66 | 分类号： | G03F1/66;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种倍缩光罩载体及其操作的方法，倍缩光罩载体用以快速放电倍缩光罩上的剩余电荷，以防止倍缩光罩载体中的粒子吸附至或转移至倍缩光罩。倍缩光罩载体可用以在倍缩光罩载体的内底板与倍缩光罩之间提供减小的电容。电容的减小可减小用于放电倍缩光罩上剩余电荷的电阻电容(RC)时间常数，这可提高经由倍缩光罩载体的支撑销放电剩余电荷的放电速度。放电速度的提高可降低倍缩光罩载体中的静电力将倍缩光罩载体中的粒子吸附至倍缩光罩的可能性。这可减少转移至基板的使用倍缩光罩来图案化的图案缺陷，可提高半导体装置制造品质及产率。 | ||
| 搜索关键词： | 倍缩光罩 载体 及其 操作 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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