[发明专利]倍缩光罩载体及其操作的方法在审
| 申请号: | 202210282260.7 | 申请日: | 2022-03-21 |
| 公开(公告)号: | CN115524920A | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
| 发明(设计)人: | 陈彦勳;陈亦镇;叶展宏;张汉龙;傅中其;陈立锐 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/66 | 分类号: | G03F1/66;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 倍缩光罩 载体 及其 操作 方法 | ||
1.一种倍缩光罩载体操作的方法,其特征在于,包含以下步骤:
自一曝光工具的一静电卡盘撷取一倍缩光罩;
将该倍缩光罩定位于包括于一倍缩光罩载体的一底板上的多个支撑销上,
其中当该倍缩光罩定位于该些支撑销上时,来自该静电卡盘的该倍缩光罩上的一剩余电荷经由该些支撑销放电,且
其中该倍缩光罩与该底板之间的一距离用以防止等于或大于一阈值粒径的多个粒子自该倍缩光罩载体吸附至该倍缩光罩;及
将该倍缩光罩载体的一盖子定位于该倍缩光罩上方,使得该倍缩光罩封闭于形成于该盖子与该底板之间的一内部空间中。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该倍缩光罩与该底板之间的该距离对应于该些支撑销的高度。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该倍缩光罩与该底板之间的该距离对应于该些支撑销的高度与该底板中一凹陷区域的深度的组合。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该倍缩光罩与该底板之间的该距离用以满足与该倍缩光罩相关联的放电速度参数。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该倍缩光罩与该底板之间的该距离用以满足与该倍缩光罩及该底板相关联的电容参数。
6.一种倍缩光罩载体,其特征在于,包含:
一盖子;
一底板,
其中该盖子及该底板用以耦合而将一倍缩光罩封闭于由该盖子与该底板形成的内部空间中;及
该底板上的多个支撑销,用以在该内部空间中支撑该倍缩光罩,其中该底板或该些支撑销的至少一者用以在该倍缩光罩置放于该倍缩光罩载体中时促进该倍缩光罩上的剩余电荷的放电。
7.如权利要求6所述的倍缩光罩载体,其特征在于,该些支撑销的高度在约1150微米至约4000微米的范围内。
8.如权利要求6所述的倍缩光罩载体,其特征在于,该底板包括在该些支撑销之间且在由该些支撑销界定的周边内的凹陷区域;且
其中相对于该底板的非凹陷部分与该些支撑销中的一支撑销的顶部之间的第二距离,该凹陷区域与该支撑销的该顶部之间的第一距离更大。
9.如权利要求8所述的倍缩光罩载体,其特征在于,该第一距离在约1150微米至约4000微米的范围内。
10.一种倍缩光罩载体操作的方法,其特征在于,包含以下步骤:
形成一倍缩光罩载体的一盖子;
形成该倍缩光罩载体的一底板,
其中该盖子及该底板用以耦合形成该倍缩光罩载体的一内部空间;及
在该底板上形成多个支撑销,
其中该底板或该些支撑销中的至少一者基于一阈值粒径形成,以防止等于或大于该阈值粒径的多个粒子静电吸附至待储存于该倍缩光罩载体中的一倍缩光罩。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





