[发明专利]倍缩光罩载体及其操作的方法在审

申请号：	202210282260.7	申请日：	2022-03-21
公开（公告）号：	CN115524920A	公开（公告）日：	2022-12-27
发明（设计）人：	陈彦勳;陈亦镇;叶展宏;张汉龙;傅中其;陈立锐	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	G03F1/66	分类号：	G03F1/66;G03F7/20
代理公司：	北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006	代理人：	徐金国
地址：	中国台湾新竹市***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	倍缩光罩载体及其操作方法
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【说明书】：

一种倍缩光罩载体及其操作的方法，倍缩光罩载体用以快速放电倍缩光罩上的剩余电荷，以防止倍缩光罩载体中的粒子吸附至或转移至倍缩光罩。倍缩光罩载体可用以在倍缩光罩载体的内底板与倍缩光罩之间提供减小的电容。电容的减小可减小用于放电倍缩光罩上剩余电荷的电阻电容(RC)时间常数，这可提高经由倍缩光罩载体的支撑销放电剩余电荷的放电速度。放电速度的提高可降低倍缩光罩载体中的静电力将倍缩光罩载体中的粒子吸附至倍缩光罩的可能性。这可减少转移至基板的使用倍缩光罩来图案化的图案缺陷，可提高半导体装置制造品质及产率。

技术领域

本揭露关于一种倍缩光罩载体及其操作的方法。

背景技术

可在曝光工具(例如，扫描器或步进机)中使用微影术遮罩(诸如光罩或倍缩光罩)以在基板上形成图案。图案可经显影使得图案可用于在基板上形成半导体结构及/或装置。

发明内容

根据本揭露的一些实施例，一种倍缩光罩载体操作的方法包含以下步骤：自一曝光工具的一静电卡盘撷取一倍缩光罩；将该倍缩光罩定位于包括于一倍缩光罩载体的一底板上的多个支撑销上，其中当该倍缩光罩定位于该些支撑销上时，来自该静电卡盘的该倍缩光罩上的一剩余电荷经由该些支撑销放电，且其中该倍缩光罩与该底板之间的一距离用以防止等于或大于一阈值粒径的多个粒子自该倍缩光罩载体吸附至该倍缩光罩；及将该倍缩光罩载体的一盖子定位于该倍缩光罩上方，使得该倍缩光罩封闭于形成于该盖子与该底板之间的一内部空间中。

根据本揭露的一些实施例，一种倍缩光罩载体包含：一盖子；一底板，其中该盖子及该底板用以耦合而将一倍缩光罩封闭于由该盖子与该底板形成的内部空间中；及该底板上的多个支撑销，用以在该内部空间中支撑该倍缩光罩，其中该底板或该些支撑销的至少一者用以在该倍缩光罩置放于该倍缩光罩载体中时促进该倍缩光罩上的剩余电荷的放电。

根据本揭露的一些实施例，一种倍缩光罩载体操作的方法包含以下步骤：形成一倍缩光罩载体的一盖子；形成该倍缩光罩载体的一底板，其中该盖子及该底板用以耦合形成该倍缩光罩载体的一内部空间；及在该底板上形成多个支撑销，其中该底板或该些支撑销中的至少一者基于一阈值粒径形成，以防止等于或大于该阈值粒径的多个粒子静电吸附至待储存于该倍缩光罩载体中的一倍缩光罩。

附图说明

本揭露的态样在与随附附图一起研读时自以下详细描述内容来最佳地理解。应注意，根据行业中的标准规范，各种特征未按比例绘制。实际上，各种特征的尺寸可为了论述清楚经任意地增大或减小。

图1是本文描述的实例半导体制程环境的示意图；

图2A及图2B是本文描述的用于图1的半导体制程环境的实例倍缩光罩载体的示意图；

图3、图4A、及图4B是本文描述的图2A及图2B的倍缩光罩载体的实例实施的示意图；

图5A至图5K是本文描述的实例实施的示意图；

图6是图1的一或多个装置的实例组件的示意图；

图7是与将倍缩光罩传输至本文所述的倍缩光罩载体有关的实例制程的流程图；

图8是与形成本文所述的倍缩光罩载体有关的实例制程的流程图。

【符号说明】

100:半导体制程环境

102:曝光工具