[发明专利]碳化硅器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210280761.1 | 申请日： | 2022-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN116825828A | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 范让萱;缪进征;王鹏飞 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 李彩玲 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例提供的一种碳化硅器件，包括：n型碳化硅层；位于所述n型碳化硅层内的若干个栅沟槽；位于所述栅沟槽内的一侧的第一栅极，位于所述栅沟槽内的另一侧的第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极通过栅介质层与所述n型碳化硅层隔离；位于所述n型碳化硅层内且介于相邻的所述栅沟槽之间的p型体区；位于所述p型体区内的n型源区；位于所述n型碳化硅层内且靠近所述第二栅极一侧并与所述p型体区连接的p+区域，所述p+区域从所述栅沟槽的侧壁位置处延伸至所述栅沟槽的底部。本发明能够有效降低栅沟槽底部拐角处的电场强度，提高碳化硅器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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