[发明专利]MOS晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 202210279755.4 | 申请日： | 2022-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN114373681A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 陈维邦;吴志楠;郑志成 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种MOS晶体管的制作方法。所述MOS晶体管的制作方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括源漏区和位于源漏区之间的沟道区，半导体衬底上形成有自下而上叠设的栅绝缘层和虚设栅极，栅绝缘层和虚设栅极覆盖所述沟道区且露出所述源漏区；以及执行离子注入工艺，在沟道区的半导体衬底顶部形成应力层，以增加所述沟道区的应力。在沟道区的半导体衬底顶部形成应力层能够增加沟道区的应力，进而有助于提高MOS晶体管的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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