[发明专利]一种基于旁路铜柱散热的宽禁带功率半导体模块在审
| 申请号： | 202210270867.3 | 申请日： | 2022-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN114664810A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 王来利;张彤宇;熊帅 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/367;H01L23/495;H01L25/065 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于旁路铜柱散热的宽禁带功率半导体模块，若干串联或并联的宽禁带功率半导体芯片排布在功率基板上表面的导电金属基板上；顶部以及底部功率衬底由旁路铜柱、辅助铜柱进行支撑连接；旁路铜柱的布局设计使得功率模块中并联芯片散热环境相似、热耦合一致，达到芯片均温的效果；旁路铜柱的热量传递能力提供芯片向顶部功率衬底传导热量的通道，大幅提高芯片散热能力，适用于多个宽禁带半导体功率芯片并联的大电流等级功率模块。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 旁路 散热 宽禁带 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】：
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