[发明专利]一种基于悬空石墨烯/氮化硼异质结的真空晶体管及其制备方法、应用在审
| 申请号： | 202210270004.6 | 申请日： | 2022-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN114724905A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 罗芳;崔子孺;朱梦剑;张检发;朱志宏;秦石乔 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | H01J21/10 | 分类号： | H01J21/10;H01J19/24 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 陈俊好 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于悬空石墨烯/氮化硼异质结的真空晶体管及其制备方法、应用，该制备方法包括制备金属电极、刻蚀沟道以及转移六方氮化硼‑石墨烯复合结构三个步骤，直接利用硅基底作为集电极，极大的简化了制备工艺。本发明中设计的真空晶体管器件结构极具创新性，充分利用氮化硼与石墨烯之间的结合力，将石墨烯/氮化硼异质结整体悬浮在沟道上方，有效降低了石墨烯断裂、塌陷、卷曲和褶皱的概率，克服了传统制备悬空石墨烯器件成功率极低的困难，极大提高了悬空石墨烯器件制备的成功率，且制备得到的真空晶体管结构稳定性更强。使用新的转移方法，避免了石墨烯与其它溶液等介质的接触，有效地解决了现有掺杂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 悬空 石墨 氮化 硼异质结 真空 晶体管 及其 制备 方法 应用 | ||
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- 专利分类
