[实用新型]真空集成电子器件有效
| 申请号： | 201621269087.3 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN206059338U | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | D·帕蒂;M·S·金 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司;意法半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01J21/10 | 分类号： | H01J21/10 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种真空集成电子器件，具有导电材料的阳极区；阳极区之上的绝缘区；延伸穿过绝缘区并且具有侧壁的腔；以及阴极区。阴极区具有尖端部分，尖端部分在腔内的周边地延伸并且邻近腔的侧壁。阴极区通过倾斜沉积形成，以相对于器件表面的垂线呈30‑60°角实现倾斜沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 集成 电子器件 | ||
【主权项】：
一种真空集成电子器件，其特征在于，包括：导电材料的阳极区；在所述阳极区之上的绝缘区；延伸穿过所述绝缘区并且具有侧壁的腔；以及具有尖端部分的阴极区，所述尖端部分在所述腔内周边地延伸并且邻近所述腔的所述侧壁。
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