[发明专利]一种半导体刻蚀腔耐等离子体涂层制备方法有效
| 申请号： | 202210267971.7 | 申请日： | 2022-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN114645275B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 吴昊;李宗泰;杨佐东 | 申请（专利权）人： | 重庆臻宝实业有限公司 |
| 主分类号： | C23C28/04 | 分类号： | C23C28/04;C23C4/01;C23C4/02;C23C4/11;C23C4/134;C25D11/02 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 郭泽培 |
| 地址： | 401326 重庆市九*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种半导体刻蚀腔耐等离子体涂层制备方法，属于半导体真空零部件技术领域，包括以下步骤，首先对产品进行阳极氧化处理；对产品除内壁以外的所有部位进行遮蔽保护；对产品进行人工喷砂；通过采用均匀熔射喷涂设备对产品表面进行等离子熔射喷涂，形成均匀的Y |
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| 搜索关键词： | 一种 半导体 刻蚀 等离子体 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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