[发明专利]一种半导体刻蚀腔耐等离子体涂层制备方法

权利要求书

1.一种半导体刻蚀腔耐等离子体涂层制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

a)对产品进行阳极氧化处理；

b)对产品除外壁以外的所有部位进行遮蔽保护；

c)对产品进行人工喷砂；

d)通过采用均匀熔射喷涂设备对产品表面进行等离子熔射喷涂，形成均匀的Y₂O₃涂层；

e)去除产品的遮蔽部位，人工修饰突出尖锐部位，然后在恒温室内对产品进行干燥；

f)对涂层表面进行封孔；

g)对涂层表面进行清洁，去除易发生Particle的涂层；

h)干燥产品上的水分，无尘室进行包装；

所述均匀熔射喷涂设备包括平台板、设置在所述平台板的中心且用于支撑所述产品的升降平台、能够环绕所述产品进行喷涂的熔射喷枪、设置在熔射喷枪与产品之间的喷涂散射板，喷涂散射板整体呈圆环形，高度高于产品的上端面，整体位于产品的外侧，与产品之间相隔一定的距离；喷涂散射板表面上均布有若干散射孔，各散射孔的厚度和大小完全相同，在进行熔射喷涂前，产品位于平台板的中心且不能够转动，熔射喷枪在平台板的外侧边缘绕产品旋转，熔射喷枪内的粉末通过散射孔散射后喷涂在产品上，所述粉末在持续喷涂后能够堵塞所述散射孔，实现对产品表面的均匀喷涂；所述喷涂散射板从内到外依次包括内侧弧形板、中间环形板和外侧弧形板，各内侧弧形板、各外侧弧形板分别组合呈环形，所述内侧弧形板、中间环形板和外侧弧形板上对应开设有第一通孔、第二通孔和第三通孔，所述第一通孔内固定有一套筒，所述套筒伸出所述内侧弧形板的外侧表面且依次伸入所述第二通孔和第三通孔，所述套筒的伸入第三通孔的中部形成台阶；所述套筒的外侧开设有一环槽，所述环槽内嵌合有一气囊，各气囊分别通过支气管连接至主气管，所述套筒内侧开设有用于安装所述支气管的通道；所述环槽的外侧壁通过若干端板封闭，所述端板的内环侧面与所述套筒铰接，所述端板的外环侧面设置有橡胶块，所述端板的内侧面通过弹性复位装置与所述套筒连接，所述气囊在充气后，能够将所述端板抵接，使得所述端板的外环侧面与所述第三通孔的内壁配合。

2.根据权利要求1所述的半导体刻蚀腔耐等离子体涂层制备方法，其特征在于：所述外侧弧形板的底部通过一支杆连接有一直线滑块，所述直线滑块连接有一螺杆，所述螺杆通过第一电机驱动转动，所述第一电机固定在平台板的底部，所述直线滑块与一直线轨道滑动配合，所述直线轨道沿径向固定在所述平台板的底部，所述平台板上开设有供所述支杆让位的开口槽。

3.根据权利要求2所述的半导体刻蚀腔耐等离子体涂层制备方法，其特征在于：所述熔射喷枪的底部固定有环形滑动部件，所述环形滑动部件与一环形轨道滑动配合，所述环形轨道位于所述喷涂散射板的外侧且固定在所述平台板的上表面，所述环形滑动部件的外侧设置有齿条，所述齿条与一齿轮配合，所述齿轮通过第二电机驱动转动，所述第二电机固定在所述平台板的底部。

4.根据权利要求3所述的半导体刻蚀腔耐等离子体涂层制备方法，其特征在于：所述环形滑动部件包括安装板和环形滑块，所述熔射喷枪固定在所述安装板上，所述环形滑块与所述环形轨道滑动配合，所述安装板上开设有条形安装槽，所述条形安装槽沿着平台板的径向延伸，所述环形滑块上开设有连接孔，所述安装板与环形滑块之间通过螺栓连接固定，通过调节螺栓的位置能够调节熔射喷枪的径向位置。

5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体刻蚀腔耐等离子体涂层制备方法，其特征在于：所述Y₂O₃涂层的厚度为200±20μm。

6.根据权利要求1-4任一项所述的半导体刻蚀腔耐等离子体涂层制备方法，其特征在于：熔射喷枪的第一载气氩气的压力为30~60Psi，第二副气氦气的压力为30~60Psi，送粉载气氩气的压力为20~60Psi，电压为35~39V，电流为700~900A。