[发明专利]一种半导体刻蚀腔耐等离子体涂层制备方法

说明书

本发明公开了一种半导体刻蚀腔耐等离子体涂层制备方法，属于半导体真空零部件技术领域，包括以下步骤，首先对产品进行阳极氧化处理；对产品除内壁以外的所有部位进行遮蔽保护；对产品进行人工喷砂；通过采用均匀熔射喷涂设备对产品表面进行等离子熔射喷涂，形成均匀的Y₂O₃涂层；去除产品的遮蔽部位，人工修饰突出尖锐部位，然后在恒温室内对产品进行干燥；对涂层表面进行封孔；对涂层表面进行清洁，去除易发生Partice的涂层；干燥产品上的水分后无尘室进行包装。本发明方法通过在产品上均匀喷涂上一层均匀的抗等离子体的Y₂O₃涂层，可以均匀的吸附反应生成的聚合物，延长部件的使用时间，降低生产成本，减少Particle，使得晶圆品质得到了很好的改善。

技术领域

本发明属于半导体真空零部件技术领域，具体涉及一种半导体刻蚀腔耐等离子体涂层制备方法。

背景技术

半导体刻蚀Chamber零部件的使用寿命以及粉尘Particle一直是客户比较关心的问题，目前业内常规使用手段为硬质阳极氧化，但随着刻蚀使用时间延长，传统的单一阳极氧化刻蚀腔壁无法吸附住一些反应生成的聚合物，容易造成Particle异常。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种半导体刻蚀腔耐等离子体涂层制备方法，通过在产品上均匀喷涂上一层均匀的抗等离子体的Y₂O₃涂层，可以均匀的吸附反应生成的聚合物，延长部件的使用时间，降低生产成本，减少Particle，使得晶圆品质得到了很好的改善。

为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：

本发明一种半导体刻蚀腔耐等离子体涂层制备方法，包括以下步骤：

a)对产品进行阳极氧化处理；

b)对产品除内壁以外的所有部位进行遮蔽保护；

c)对产品进行人工喷砂；

d)通过采用均匀熔射喷涂设备对产品表面进行等离子熔射喷涂，形成均匀的Y₂O₃涂层；

e)去除产品的遮蔽部位，人工修饰突出尖锐部位，然后在恒温室内对产品进行干燥；

f)对涂层表面进行封孔；

g)对涂层表面进行清洁，去除易发生Partice的涂层；

h)干燥产品上的水分，无尘室进行包装。

进一步，所述均匀熔射喷涂设备包括平台板、设置在所述平台板的中心且用于支撑所述产品的升降平台、能够环绕所述产品进行喷涂的熔射喷枪、设置在熔射喷枪与产品之间的喷涂散射板，所述喷涂散射板表面上均布有若干散射孔，所述熔射喷枪内的粉末通过所述散射孔散射后喷涂在产品上，所述粉末在持续喷涂后能够堵塞所述散射孔，实现对产品表面的均匀喷涂。

进一步，所述喷涂散射板从内到外依次包括内侧弧形板、中间环形板和外侧弧形板，各内侧弧形板、各外侧弧形板分别组合呈环形，所述内侧弧形板、中间环形板和外侧弧形板上对应开设有第一通孔、第二通孔和第三通孔，所述第一通孔内固定有一套筒，所述套筒伸出所述内侧弧形板的外侧表面且依次伸入所述第二通孔和第三通孔，所述套筒的伸入第三通孔的中部形成台阶。

进一步，所述套筒的外侧开设有一环槽，所述环槽内嵌合有一气囊，各气囊分别通过支气管连接至主气管，所述套筒内侧开设有用于安装所述支气管的通道。

进一步，所述环槽的外侧壁通过若干端板封闭，所述端板的内环侧面与所述套筒铰接，所述端板的外环侧面设置有橡胶块，所述端板的内侧面通过弹性复位装置与所述套筒连接，所述气囊在充气后，能够将所述端板抵接，使得所述端板的外环侧面与所述第三通孔的内壁配合。