[发明专利]用于功率瞬态抑制二极管使用纳米银浆焊接的方法

摘要

本发明公开了用于功率瞬态抑制二极管使用纳米银浆焊接的方法，涉及半导体封装领域。本发明使用无铅纳米银颗粒制备的纳米银浆连接功率瞬态抑制二极管芯片和导电铜框架；纳米银浆是由纳米银颗粒构成的重量百分比65‑80％的纳米银浆料以及20‑35％的添加剂混合构成的粘合载体；方法包括：清洗铜框架、纳米银浆网印、低温烧结、孔洞检验。本发明纳米银浆解决了传统焊接的二次流动性问题，充分利用纳米银的烧结完成后形成烧结银的高温特性，减少焊接二次流动产生锡丝、锡尖等问题；减少因为高温导致的芯片划片道的隐裂问题，温度低减少材料之间的热膨胀差异问题，降低产品的失效风险；有利于高可性的应用场景以及温度突变导致的气泡失效问题。