[发明专利]用于功率瞬态抑制二极管使用纳米银浆焊接的方法

权利要求书

1.用于功率瞬态抑制二极管使用纳米银浆焊接的方法，其特征在于：

使用无铅纳米银颗粒制备的纳米银浆连接功率瞬态抑制二极管芯片和导电铜框架；所述纳米银颗粒直径小于180nm；所述纳米银浆是由纳米银颗粒构成的重量百分比65-80％的纳米银浆料以及20-35％的添加剂混合构成的粘合载体；所述功率瞬态抑制二极管芯片表面使用Ti层-Ni层-Ag层的三层式工艺，其中，Ag层厚度为1.0-2.5um。

2.根据权利要求1所述的用于功率瞬态抑制二极管使用纳米银浆焊接的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、清洗铜框架：使用等离子清洗导电铜框架表面，经过等离子处理可达到导电铜框架表面超净化和活性化的效果，提高铜表面与焊料的粘接质量；

S2、纳米银浆网印：使用钢网印刷方式管控，将纳米银浆印刷至导电下框架，所述纳米银浆控制在10-80um，然后自动固晶机将芯片固定于银浆表面，同样将银浆印刷至导电上框架上，所述最后将导电下框架与导电上框架合上，使用石墨舟进行固定；

S3、低温烧结：使用固化烘箱，烘箱根据焊接石墨舟尺寸设计导轨，烘箱内部容器加热均匀，不同位置温差不超过1℃；

S4、烧结时间：控制5min，具体为300±30S，时间不低于270S,否则很难形成导电网络结构，内阻会偏高；

S5、孔洞检验：烧结完成的物料，以抽样方式，使用90KV的X-ray进行致密性检查，满足孔洞面积少于5％为焊接良好。